在地緣因素持續(xù)動(dòng)蕩與人工智能技術(shù)競(jìng)賽的背景下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨重塑。在日前集邦咨詢主辦的“TSS 2025半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇”上，行業(yè)分析師指出，盡管AI算力需求激增為市場(chǎng)注入動(dòng)能，但供應(yīng)鏈區(qū)域化、關(guān)稅政策不確定性及產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性調(diào)整正重塑行業(yè)格局，晶圓代工廠區(qū)域分化將加劇。同時(shí)，在英偉達(dá)等算力巨頭需求推動(dòng)下，HBM（高帶寬內(nèi)存）迭代快速，市占率急速提高，產(chǎn)生的排擠效應(yīng)正在重塑內(nèi)存行業(yè)供給格局；在新材料領(lǐng)域，氮化鎵正處于大規(guī)模應(yīng)用的臨界點(diǎn)，向汽車、AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等高功率場(chǎng)景推廣。

區(qū)域分化加劇

當(dāng)前全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)面臨著關(guān)稅等短期政策沖擊，對(duì)8英寸與12英寸產(chǎn)能帶來不同程度影響。

集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮指出，8英寸晶圓產(chǎn)能因美國對(duì)華出口管制的“90天寬限期”出現(xiàn)擠單現(xiàn)象，客戶急單拉貨，但第三季度起利用率將開始下滑，第四季度可能進(jìn)一步走弱。相比之下，12英寸產(chǎn)能則相對(duì)穩(wěn)健，但臺(tái)積電等大廠因客戶庫存調(diào)整也會(huì)有所下行，其先進(jìn)工藝部分占比依舊維持高位。

關(guān)稅政策的不確定性仍是最大變量。據(jù)集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2024年全球半導(dǎo)體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)達(dá)到6473億美元，同比增長(zhǎng)25.6%，創(chuàng)近年新高。這一強(qiáng)勁增長(zhǎng)主要受益于AI算力需求爆發(fā)及存儲(chǔ)器價(jià)格觸底反彈的雙重推動(dòng)。然而，隨著美國新政府上臺(tái)后實(shí)施的貿(mào)易限制與關(guān)稅政策持續(xù)擾動(dòng)市場(chǎng)，多家機(jī)構(gòu)已將2025年半導(dǎo)體增長(zhǎng)預(yù)期從年初預(yù)估的20%以上大幅下修至10%—15%。

在人工智能和車用電子帶動(dòng)下，2025年全球半導(dǎo)體晶圓代工營收預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)19.1%，但若排除臺(tái)積電貢獻(xiàn)，行業(yè)增速將驟降至5.7%，這一顯著差距凸顯了先進(jìn)制程技術(shù)對(duì)代工產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的顯著作用。

另一方面，晶圓代工廠產(chǎn)業(yè)區(qū)域分化將加劇。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，中國臺(tái)灣地區(qū)目前雖以73%的全球代工產(chǎn)能占比領(lǐng)跑，但受電力制約以及產(chǎn)能外移等影響，其先進(jìn)工藝份額預(yù)計(jì)從2021年的66%降至2030年的54%；相比之下，美國通過吸引臺(tái)積電、英特爾等廠商投資，目標(biāo)將本土先進(jìn)工藝份額從18%提升至2030年的27%。其中，臺(tái)積電亞利桑那州工廠受限于成本與良率，2030年預(yù)計(jì)僅有三座工廠完工，預(yù)估貢獻(xiàn)16%的美國先進(jìn)工藝產(chǎn)能。

與此同時(shí)，中國大陸聚焦成熟制程擴(kuò)張，預(yù)計(jì)到2030年其12英寸晶圓產(chǎn)能年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)18.8%，遠(yuǎn)超全球平均的9.6%，成熟工藝市占率將突破48%。

終端廠商加速自研

AI算力革命為半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來新機(jī)遇。

郭祚榮表示，AI服務(wù)器芯片需求預(yù)計(jì)2024年同比增長(zhǎng)24%，延續(xù)去年46%的高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，成為支撐先進(jìn)制程需求的核心動(dòng)力。盡管AI芯片到2027年預(yù)計(jì)僅占先進(jìn)工藝產(chǎn)能的9%，其產(chǎn)值占比卻極高。相比，消費(fèi)電子市場(chǎng)可能持續(xù)低迷。

集邦咨詢資深分析師儲(chǔ)于超強(qiáng)調(diào)，AI正重塑半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。據(jù)集邦預(yù)測(cè)，到2028年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年復(fù)合增長(zhǎng)率為8.3%，其中數(shù)據(jù)中心以11.5%的復(fù)合增長(zhǎng)率領(lǐng)跑，遠(yuǎn)超消費(fèi)電子、工業(yè)等領(lǐng)域的6%以下增速。這一分化凸顯AI對(duì)產(chǎn)業(yè)的結(jié)構(gòu)性拉動(dòng)作用。

在云端計(jì)算領(lǐng)域，英偉達(dá)憑借其GPU架構(gòu)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，成為產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力。2023—2024財(cái)年，英偉達(dá)營收同比激增125%，遠(yuǎn)超其他Fabless（無晶圓廠）芯片企業(yè)平均20%的增幅。英偉達(dá)AI服務(wù)器產(chǎn)品線通過異構(gòu)計(jì)算、NV-Link高速互聯(lián)及可擴(kuò)展架構(gòu)，牢牢掌控云端訓(xùn)練市場(chǎng)。

儲(chǔ)于超指出，英偉達(dá)的毛利率已突破60%，但客戶對(duì)單一供應(yīng)商依賴的擔(dān)憂日益加劇，谷歌、微軟等云服務(wù)商正加速自研芯片（如TPU、DPU），甚至采用全光網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)挑戰(zhàn)其壟斷地位。

隨著終端廠商自研芯片、區(qū)域供應(yīng)鏈重組等，AI服務(wù)器市場(chǎng)格局正在重塑。

集邦咨詢研究經(jīng)理龔明德指出，當(dāng)前AI服務(wù)器以英偉達(dá)和AMD為代表的GPU為主，但是自研芯片具備增長(zhǎng)潛力，預(yù)計(jì)今年占比有望達(dá)到25%。從供應(yīng)鏈上下游反饋，AWS自研芯片增長(zhǎng)速度比較快，預(yù)計(jì)今年出貨量有機(jī)會(huì)翻倍增長(zhǎng)。

“受地緣因素以及供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)，一些互聯(lián)網(wǎng)業(yè)者明確AI應(yīng)用服務(wù)需求，所以知道用怎樣的ASIC（專用集成電路）AI芯片來輔助服務(wù)器，中長(zhǎng)期而言是比較有潛力的?！饼徝鞯卤硎?。

據(jù)集邦咨詢預(yù)測(cè)，2025年AI服務(wù)器的產(chǎn)值會(huì)達(dá)到30億美元，同比增長(zhǎng)46%。隨著英偉達(dá)從H系列向B系列轉(zhuǎn)換，整個(gè)AI服務(wù)器產(chǎn)值提升，預(yù)計(jì)今年AI服務(wù)器的市場(chǎng)占有率會(huì)從去年的67%提升到70%；另外，液冷散熱方案的滲透率也有望從去年的14%提升到今年的30%。

HBM排擠效應(yīng)

人工智能的興起，直接拉動(dòng)了HBM市場(chǎng)發(fā)展，2025年HBM總需求年增長(zhǎng)94%，2026年增速將回落至50%以下，但仍遠(yuǎn)超整體DRAM增長(zhǎng)水平。

集邦咨詢分析師許家源介紹，HBM技術(shù)每?jī)芍寥甑淮?，但未來兩年將加速推進(jìn)，預(yù)計(jì)HBM3e將占據(jù)2025年出貨份額超過90%，2026年HBM4將開始滲透市場(chǎng)，供貨商預(yù)計(jì)2026年第二季度量產(chǎn)。其中，SK海力士繼續(xù)位居HBM主力供應(yīng)商，美光快速追趕。

市場(chǎng)需求方面，英偉達(dá)維持HBM消費(fèi)市場(chǎng)最大份額，預(yù)測(cè)占據(jù)HBM約61%市場(chǎng)，2025年或進(jìn)一步攀升至70%以上，但預(yù)計(jì)2026年后可能出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)折。一方面，英偉達(dá)下一代芯片可能仍維持8顆HBM配置（12hi/36Gb），無法提升容量，導(dǎo)致需求增速放緩；另一方面，海內(nèi)外自研廠商將加速推出搭載多層HBM的AI芯片，顆粒數(shù)持續(xù)攀升，縮小與英偉達(dá)差距。

HBM對(duì)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)帶來了排擠效應(yīng)。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，三星、海力士、美光HBM在各自內(nèi)存產(chǎn)能占比分別是23%、18%和26%，且HBM的增長(zhǎng)速度高于整體內(nèi)存增速，營收年增率高速增長(zhǎng)，也帶動(dòng)整體內(nèi)存價(jià)格上漲。因此，內(nèi)存供應(yīng)商巨頭將HBM以及DDR5列為生產(chǎn)重心，相應(yīng)排擠DDR4產(chǎn)能，導(dǎo)致DDR4價(jià)格上漲，也推動(dòng)需求方從DDR4向DDR5快速迭代。

AI也為閃存市場(chǎng)帶來了新的需求趨勢(shì)。

據(jù)集邦咨詢預(yù)測(cè)，AI帶動(dòng)服務(wù)器固態(tài)硬盤需求占比達(dá)9%—10%，預(yù)計(jì)到2028年這一占比將提升至20%；其中，企業(yè)級(jí)SSD將是受AI影響最大的領(lǐng)域，隨著AI提高數(shù)據(jù)傳輸效率，PCIe Gen 5.0將在下半年成為主流，明年英偉達(dá)新一代產(chǎn)品將采用PCIe Gen 6.0，其他產(chǎn)品線由于成本競(jìng)爭(zhēng)激烈，產(chǎn)能過剩，價(jià)格恐怕難以大幅反彈。

人工智能還將帶來寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇。

集邦咨詢分析師龔瑞驕指出，GaN（氮化鎵）正處于大規(guī)模應(yīng)用的臨界點(diǎn)，由中低功率消費(fèi)電子逐漸走向高功率應(yīng)用，汽車、AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等場(chǎng)景蘊(yùn)藏巨大潛力，預(yù)計(jì)氮化鎵的功率器件市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)從去年的大概3.9億美元成長(zhǎng)到2030年的33.3億美元。

在AI服務(wù)器領(lǐng)域，氮化鎵將主要應(yīng)用于服務(wù)器架構(gòu)中的PSU（電源供應(yīng)單元）模塊和IBC（中間總線轉(zhuǎn)換器）模塊中。其中，當(dāng)AI服務(wù)器PSU功率達(dá)到7千瓦以上，就需要使用氮化鎵設(shè)計(jì)出滿足功率密度和效能的電源產(chǎn)品。另外，人形機(jī)器人的關(guān)節(jié)也會(huì)大量使用到氮化鎵，提升機(jī)器人高效、便捷性以及負(fù)載能力。